ارزیابی عملکرد آنالوگ و پارامترهای اثر کانال کوتاه روی ترانزیستور اثر میدان بر پایه عایق توپولوژیک
Publish place: Tabriz Journal of Electrical Engineering، Vol: 49، Issue: 2
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 418
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-49-2_039
تاریخ نمایه سازی: 20 آذر 1398
Abstract:
In this paper, in order to evaluate new materials for design and simulation of the field effect transistors in nano dimensions, we simulate and investigate the electronic properties of a field effect transistor based of topological insulator. Since the energy gap in the channel region of this transistor is adjustable by a perpendicular magnetic field, first by obtaining the transfer characteristics, we analyze the DC characteristics such as Ion/Ioff ratio and the threshold voltage. Moreover, we evaluate the short channel effects (SCEs) including subthreshold slope (SS) and drain induced barrier lowering (DIBL).The obtained results for (SS) and (DIBL) for m=1 show the values of 8.24mV/dec and 0.064, respectively, which are very suitable for transistor applications. Finally we achieve the analog characteristics of the simulated field effect transistor such as transconductance, output conductance, output resistance and voltage gain and study the parameters affecting these figures of merits.
Keywords:
Authors
M. Vali
Institute of Nanoscience and Nanotechnology, University of Kashan, Kashan, Iran
D. Dideban
Depertment of Electrical and Computer Engineering, University of Kashan, Kashan, Iran
N. Moezi
Technical and Vocational University, Kashan, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :