پیمان کرمی - دانشگاه جامع علمی کاربردی مینو- خرم دره

این مقاله به معرفی نتایج یک پژوهش در مورد طراحی و شبیه سازی یک تقویت کنندهCMOS دو طبقه با استفاده از تکنولوژی 0.18μm می پردازد. در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی μm0.18 کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد

بهره ، تفاضلی ، دو طبقه،0.18μm ، CMOS