علی آقابابایی - تهران ، دانشگاه صنعتی شریف
سینا صفائی صادق - تهران ، دانشگاه صنعتی شریف
محمدبهشاد شفیعی - تهران ، دانشگاه صنعتی شریف
امید محمدی - تهران ، دانشگاه صنعتی شریف
شاهین فقیری - تهران ، دانشگاه صنعتی شریف
حسین حسینی نوه - تهران ، دانشگاه صنعتی شریف

ر سانش حرارتی پایین مواد تغییر فاز دهنده منجر به طولانی شدن فرایندهای ذوب و انجماد ( شارژ و د شارژ) در این مواد شده ا ست. این مشکل کاربرد این مواد را در زمینه ذخیره سازی انرژی با محدودیتهایی مواجه کرده است. در پژوهش حا ضر تاثیر افزودن نانوذرات مغناطیسی و میدان مغناطیسی بر سرعت و نحوه تغییر فاز پارافین به عنوان ماده تغییر فاز دهنده بصورت تجربی برر سی میگردد. بدین منظور از یک محفظه مکعب جهت ذوب ماده تغییر فاز دهنده استفاده گردید که دیواره سمت چپ آن شار حرارتی ثابت را اعمال میکرد. از یک آهنربای ثابت به منظور اعمال میدان مغناطیسی ثابت افقی به قدرت 0,2 تسلا ا ستفاده گردید. نتایج نشان داد که استفاده از نانوذرات با غلظت %1 جرمی کاهش دما در را ستای افق و نیز کاهش زمان ذوب را در پی دارد. از طرفی افزودن نانوذرات رسانش حرارتی پارافین را %5 افزایش داد. همچنین میدان مغناطیسی منجر به کاهش زمان ذوب و انتقال حرارت بهتر در پارافین گردید. با استفاده از نانوذرات مغناطیسی در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی، زمان ذوب به ترتیب %12 و %8 کاهش یافت.

مواد تغییر فاز دهنده، رسانش حرارتی، نانوذرات مغناطیسی، میدان مغناطیسی