روش جدید و سریع شبیه سازی انتقال الکترونیکی وابسته به اسپین درترانزیستورهای تک الکترونی فرومگنتیک
Publish place: 13th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,038
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_099
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
Abstract:
در این مقاله برای اولین بار، شبیه سازی انتقال الکترونیکی وابسته به اسپین در یک ترانزیستور تک الکترونی مغناطیسی بوسیله یک روش کاملا جدید و سریع انجام می گیرد. در این روش معادلات مستر و حالت فضایی دوبعدی که هردو درجه آزادی اسپین و بار الکتریکی مربوط به ذره را شامل می شود، لحاظ گردیده است. نتایج شبیه سازی در حالت های گوناگون برای ترانزیستور ها با ابعاد متفاوت و سورس و درین با پلاریزه های مختلف در تانل زنی پی در پی نشان داده شده است.علاوه بر دقت نتایج، اختلاف جریان در دو مد کاری این ترانزیستور ها نیز بررسی شده است
Keywords:
Authors
سمیه عسگری
دانشگاه صنعتی شریف
رحیم فائز
دانشگاه صنعتی شریف
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :