سمیه عسگری - دانشگاه صنعتی شریف
رحیم فائز - دانشگاه صنعتی شریف

در این مقاله برای اولین بار، شبیه سازی انتقال الکترونیکی وابسته به اسپین در یک ترانزیستور تک الکترونی مغناطیسی بوسیله یک روش کاملا جدید و سریع انجام می گیرد. در این روش معادلات مستر و حالت فضایی دوبعدی که هردو درجه آزادی اسپین و بار الکتریکی مربوط به ذره را شامل می شود، لحاظ گردیده است. نتایج شبیه سازی در حالت های گوناگون برای ترانزیستور ها با ابعاد متفاوت و سورس و درین با پلاریزه های مختلف در تانل زنی پی در پی نشان داده شده است.علاوه بر دقت نتایج، اختلاف جریان در دو مد کاری این ترانزیستور ها نیز بررسی شده است

ترانزیستور تک الکترونی فرومگنتیک، معادلات مستر، تانل زنی پی در پی، تئوری ارتودکس