بررسی تاثیر افزایش درصد مولی ژرمانیم و کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی بر بهبود مشخصه های الکتریکی Hetero SBMOS در ابعاد نانو
Publish place: 13th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,167
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_153
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
Abstract:
دراین مقاله تاثیر پارامترهای ساختاری بر بهبود مشخصه های الکتریکی ترانزیستور PMOSFET با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته Hetero SBMOS مورد مطالعه قرار گرفته است افزایش درصد مولی ژرمانیم د رکانال سیلیسیم ژرمانیم موجب افزایش جریان حالت روشن، افزایش هدایت انتقالی گیت، کاهش قدرمطلق ولتاژ آستانه کانال سیلیسیم / سیلیسیم ژرمانیم Vth و افزایش قدر مطلق ولتاژ آستانه کانال پارازیتی اکسید/ سیلیسیم Vts می شود. افزایش درصد مولی ژرمانیم تا میزان 0/3 موجب افزایش نسبت I on/I off می شود. کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی موجب افزایش I on کاهش جریان نشتی GIDL کاهش I off افزایش 98 درصدی نسبت I on/Ioff و افزایش هدایت انتقالی گیت gm می شود.
Keywords:
Authors
مریم نیری
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فاطمه کهنی
دانشگاه آزاد اسلامی لاهیجان
مرتضی فتحی پور
دانشکده فنی دانشگاه تهران
رضا فولادی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهرانجنوب
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :