سمتهای علمی و اجرایی در دانشگاهها و مراکز علمی کشور
ISI Papers
- "Diamond-shaped body contact for on-state breakdown voltage improvement of SOI LDMOSFET", Elsevier BV, (2017), Vol 129, No : 182-187
- "An area efficient body contact for low and high voltage SOI MOSFET devices", Elsevier BV, (2008), Vol 52, No 2: 196-204
- "Microstructure and phase evolution of alumina–spinel self-flowing refractory castables containing nano-alumina particles", Elsevier BV, (2011), Vol 37, No 3: 1003-1009
- "A width-dependent body-voltage model to obtain body resistance in PD SOI MOSFET technology", IEEE, (2010), Vol , No :
- "Impact of body resistance on RF linearity of SOI MOSFET circuits", IEEE, (2011), Vol , No :
- "3-D simulation of a 45 nm Partially Depleted silicon on insulator (SOI) transistor with diamond-shaped body contact", IEEE, (2010), Vol , No :
- "The effect of nano-size additives on the electrical conductivity of matrix suspension and properties of self-flowing low-cement high alumina refractory castables", Elsevier BV, (2010), Vol 36, No 4: 1411-1416
- "Automated Conductometry Measurements of Simple Electrolytes and Micellar Solutions Using a Voltage Divider Technique", Springer Science and Business Media LLC, (2010), Vol 39, No 7: 959-966
- "Experimental characterisation of PD SOI MOSFET devices fabricated with diamond-shaped body contact", Informa UK Limited, (2011), Vol 98, No 6: 801-812
- "Output-Conductance Transition-Free Method for Improving the Radio-Frequency Linearity of Silicon-on-Insulator MOSFET Circuits", Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), (2014), Vol 61, No 7: 2257-2263
- "Experimental characterisation of PD SOI MOSFET devices fabricated with diamond-shaped body contact", Informa UK Limited, (2011), Vol 98, No 6: 801-812
Conference Papers
- محاسبه ی تحلیلی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی ارائه شده در 5th National Conference on New Technologies in Electrical and Computer Engineering (1401)
- شبیه سازی نحوه تشکیل کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲ لایه با استفاده از روش کوانتومی و مقایسه آن با روش کلاسیک ارائه شده در International Conference on New Researches and Technologies in Electrical Engineering (ICNRTEE) (1401)
- شبیه سازی ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲لایه با روشهای کوانتومی و مقایسه آن با روشهای کلاسیک و مدلسازی ارائه شده در International Conference on New Researches and Technologies in Electrical Engineering (ICNRTEE) (1401)
- تاثیر غلظت زیرلایه بر میزان چگالی الکترون ها در ناحیه ی کانال ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق ارائه شده در 3rd International Conference on Electrical Engineering (1397)
- بررسی اثر همشنوایی از طریق بستر در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه ارائه شده در Fifth International Conference on Quality Research in Electrical and Mechatronics Electrical Engineering (1397)
- ارائه مدل سیگنال کوچک ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه و محاسبه فرکانس قطع ارائه شده در Forth National Conference on Electrical and Computer Engineering (1397)
- بررسی وابستگی زمانی ولتاژ آستانه ترانزیستور به میزان غلظت ناخالصی زیر لایه در ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق ارائه شده در Forth National Conference on Electrical and Computer Engineering (1397)
- استفاده عملی از کنترلر فازی جهت جایگزینی کنترلر سروو ولوهای هیدرولیکی در مجتمع فولاد مبارکه ارائه شده در کنفرانس بین المللی تحقیقات بنیادین در مهندسی برق (1396)
- بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده ارائه شده در سومین کنفرانس سراسری مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات (1396)
- Room Air Temperature Reduction by Using Different Types of Thermal Insulation ارائه شده در 3nd National Conference of Construction & Project Management (1396)
- شبیه سازی ترانزیستور 45 نانومتر سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه زیر سورس و مقایسه آن با ترانزیستور مرسوم ارائه شده در Fifth International Conference on Electrical and Computer Engineering with Emphasis on Indigenous Knowledge (1396)
- بررسی مقاومت بدنه در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده ارائه شده در Second National Conference on Electrical and Computer Engineering (1396)
- بررسی و محاسبه تیوری ولتاژ شکست حالت روشن در افزاره سیلیکون روی عایق با طول کانال 54 نانومتر ارائه شده در National Conference on the Application of New Technologies in Science and Engineering, Electrical and Computer and IT (1396)
- Thermal effects analysis and comparison of the 22nm silicon-on-diamond transistor with the similar silicon-on-insulator transistor and reduction of the off current of neighboring transistors ارائه شده در The first international conference of modern research engineers in electricity and computer (1395)
- مدل ولتاژ آستانه ی ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی ارائه شده در The first international conference of modern research engineers in electricity and computer (1395)
- ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی ارائه شده در کنفرانس بین المللی مهندسی برق (1395)
- مدلسازی فازی ولتاژ آستانه در ماسفتهای سیلیکون روی الماس دولایه ارائه شده در 4th National Congress of Electrical and Computer Engineering of Iran (1395)
- بررسی اثر طول ناحیه اکساید در ترانزیستورهای نسبی سیلیکون روی عایق ارائه شده در 8th Iranian conference on electrical and electronic engineering (1395)
- ترانسیستور توام تخلیه ی سیلیکوى روی عایق با بدنه و لایه ی نازک اکساید مدفون شده UTBB با طول گیت 22 نانومتر و بررسی عملکرد آن با اعمال بایاس گیت دوم ارائه شده در کنفرانس بین المللی پژوهش های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر و مهندسی پزشکی (1395)
- تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق ارائه شده در International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science (1394)
- فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه ارائه شده در International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science (1394)
- بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره 28nm-UTBB SOI ارائه شده در Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering (1394)
- تحلیل و بررسی اثرات دمایی ترانزیستور nm 22 سیلیکون روی الماس ، مقایسه آن با همتا سیلیکون روی عایق و همچنین بررسی تغییرات دمایی ترانزیستورهای کناری ارائه شده در Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering (1394)
- تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر ارائه شده در 2nd International Conference on Electrical Engineering and Computer Science (1394)
- افزاره نانو سیلیکون روی عایق دولایه جهت بهینه سازی اثرات خودگرمایی وکاهش جریان نشتی ارائه شده در 17th Iran"s Electrical Engineering Student Conference (1393)
- A Novel Silicon on Diamond Structure to Improve Drain Induced Barrier Lowering ارائه شده در 21th Iranian Conference on Electric Engineering (1392)
- نانو ترانزیستور سیلیکون رو یالماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر(DIBL) ارائه شده در 5th iranian conference on electrical and electronic engineering (1392)
- بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه ارائه شده در 5th iranian conference on electrical and electronic engineering (1392)
- بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده ارائه شده در 5th iranian conference on electrical and electronic engineering (1392)
- یک ساختارجدید افزاره سیلیکون روی عایق دولایه برای بهبود شیب زیرآستانه ارائه شده در 20th Iranian Conference on Electric Engineering (1391)
- A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET ارائه شده در 19th Iranian Conference on Electric Engineering (1390)
- بررسی اثرات دمایی زیرپایه های سیلیکون روی الماس درپروسه 45nm ارائه شده در 19th Iranian Conference on Electric Engineering (1390)
- بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس 45nm نانومتر ارائه شده در 2nd National Electrical Engineering (1388)
- شبیه سازی سه بعدی و بهبود رسانایی خروجی در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) با اتصال بدنه لوزی شکل و طول کانال 45 نانومتر ارائه شده در 2nd National Electrical Engineering (1388)
- طراحی نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ تمام مجتمع در فرکانس 5 GHz با استفاده از تکنولوژی µmTSMC 0/18 ارائه شده در The Second National Conference on Computer Electrical Engineering and Information Technology (1387)
Journal Papers
- استخراج مدل مداری نزدیک به ولتاژ آستانه برای افزاره های سیلیکون بر روی الماس با عایق دو لایه به منظور محاسبه ولتاژ آستانه منتشر شده در Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers (1402)
- محاسبه ولتاژ آستانه ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک به روش تحلیلی منتشر شده در Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers (1402)
- Body Current Optimization Using Threshold-Voltage-Adjust-Implant Engineering in ۴۵nm SOI MOSFET منتشر شده در majlesi Journal of Electrical Engineering (1400)
- بررسی و شبیهسازی تأثیر میزان غلظت ناخالصی زیرلایه بر زمان تأخیر کلیدزنی در ترانزیستورهای اثر میدان UTBB 22nm سیلیکون روی عایق دولایه منتشر شده در Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers (1399)
- Experimental PI Fuzzy Controller to Control Pinch-roll Pressure via Hydraulic servo-valves in Continuous Casting Machines in Mobarakeh Steel Company منتشر شده در majlesi Journal of Electrical Engineering (1399)
- بدست آوردن رابطه ی ولتاژ آستانه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با طول کانال 22 نانومتر و یک لایه عایق اضافی منتشر شده در Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers (1398)
- An Investigation in the I-gate Body Contact for Partially Depleted SOI MOSFET منتشر شده در majlesi Journal of Electrical Engineering (1393)
- A Novel Silicon on Diamond Structure to Improve Drain Induced Barrier Lowering منتشر شده در majlesi Journal of Electrical Engineering (1392)
- یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق منتشر شده در Journal of Intelligent Procedures in Electrical Technology (1390)
- کنترل سرعت موتور القایی تغذیه شده با مبدل ماتریسی با ولتاژ ورودی نامتعادل منتشر شده در Journal of Intelligent Procedures in Electrical Technology (1390)
- Crosstalk Enhancement in ۳۲ nm FD SOI MOSFET using HR Substrate and Multilayer BOX منتشر شده در majlesi Journal of Electrical Engineering (1390)
- رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر منتشر شده در Journal of Intelligent Procedures in Electrical Technology (1389)
- Temperature Effect Investigation of ۴۵nm Silicon-on-Diamond MOSFET Transistors منتشر شده در majlesi Journal of Electrical Engineering (1388)