طراحی مداری ساختارهای تمام جمع کننده هیبریدی به منظور بهبود سالخوردگی

در این مقاله با تکنیک های پیشنهادی مداری، بی ثباتی دمایی تحت بایاس BTI ( Bias Temperature Instability ) برای تمام جمع کننده های هیبریدی بهبود می یابد. با مرور زمان BTI باعث افزایش تاخیر جمع کننده ها میشود و در فناوری های جدید اثر آن بیشتر شده است. در برخی مدارها با تغییر توپولوژی مداری و در برخی با اضافه کردن تعدادی ترانزیستور، سالخوردگی مدارها کمتر شده است. همچنین مدار جمع کننده مستقلی پیشنهاد شده است که همراه با تکنیک اندازه گذاری، مقاومت در برابر BTI در آن بالا رفته است. در این مقاله چهار مدار جمع کننده مختلف طراحی و در فناوری 14 نانومتر FinFET توسط نرم افزار Hspice مورد مقایسه و ارزیابی قرار گرفته است. با به کارگیری تکنیک های مداری میتوان تغییرات تاخیر بدترین مدار را تا 60 % کاهش داد.

Keywords:

سلول تمام جمع کننده , NBTI , PBTI , تاخیر , سالخوردگی