طراحی و رشد یک سلول خورشیدی به روش رونشستی پرتومولکولی MBE
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,348
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_316
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
Abstract:
هدف از این مقاله طراحی و رشد یک سلول خورشیدی به روش MBE رونشستی پرتو مولکولی می باشد این سلول خورشدی از طریق رشد یک لایه با ضخامت چند اتم از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون برروی زیرلایه ای از جنس GaAs نوع p با چگالی معین رشد داده می شود رشد این لایه گالیم ارسناید توسط دستگاه MBE صورت گرفته است زیرا دستگاه رونشستی با کمک پرتو مولکولی قادر است لایه هایی از نیمه هادیهای مختلف را برروی زیرلایه نیمه هادی گالیم ارسناید بنشاند دراین روش تحت خلا بسیار بالای torr 10-1 پرتوهای مولکولی عناصر گالیم ارسناید با جهت 001 نشانده شده است مشخصه نگاری در هنگام رشد توسط سیستم پراش بازتابی الکترون پرانرژی RHEED و پس از رشد توسط روشهای C-V,I-V صورت گرفته است تایید میزان ناخالصی توسط تکنیک Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling )ECV و ازمایشات مربوط به میزان بازدهی سلول خورشیدی براثر تابش نور لامپ ازمایشگاهی انجام می گیرد.
Keywords:
Authors
حجت اله حمیدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود