Investigation of resistive switching in anodized titanium dioxide thin films
Publish place: Advanced Ceramics Progress، Vol: 2، Issue: 3
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 195
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_ACERPT-2-3_007
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1400
Abstract:
In this work, TiO۲ nanostructures were grown on titanium thin films by electrochemical anodizing method. The bipolar resistive switching effect has been observed in Pt/TiO۲/Ti device. Resistive switching characteristics indicated the TiO۲ nanotubes are one of the potential materials for nonvolatile memory applications. Increasing anodizing duration will increase nanotube lengths which itself causes increase in high resistance and low resistance difference.
Keywords:
Authors
Ahmad Saraei
Semiconductors, Institute of materials and energy
Mohammad Eshraghi
Semiconductors, Materials and Energy Research Center (MERC)
Abozar Massoudi
Semiconductors , Materials and Energy Research Center (MERC)