بررسی اثر میدانی نانولوله های کربنی

پس از کشف نانولوله های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی های بسیار زیادی بر روی این ساختارها درسایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکیانیکی و الکتریکی که از خود نشانداده اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن ر قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسیخواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیمو نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستورهای اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان های مختلف بررسی کرده ایم. ازآنجایی که سرعت خاموش و روشن شد ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کیامپوتری ازاهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانولوله ای که تحرک پذیری بالایی اشده باشد بسیار مهم اسیت. نتایجبررسی ها نشان می هد تحرک پذیری الکترون در نانولوله های کربنی متفاوت به ازای میدان های مختلفی که درطول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بیشینه ای را خواهد گرفت. بنابراین در طراحی ترانزیسیتورها با توجه بهمشخصه های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و ررو آن اعمال می شود باید نانولوله ای راانتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.

Keywords:

نانولوله ی کربنی , ترانزیستور اثر میدانی , مدل ثابت نیرو , تحرک پذیری الکترون