عبور وابسته به زاویه تابش از ترانزیستور اثر میدانی گرافینی
Publish place: 14th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,177
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE14_007
تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390
Abstract:
دراین مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال به کمک معادله دیراک عبور از یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی با دو گیت فلزی را بررسی می کنیم با ا عمال ولتاژ به این گیت ها درون گرافین سد پتانسیل ایجاد می شود دراین مقاله حالتی را که ما بررسی کرده ایم به گونه ای است که ارتفاع سد دوم متغیر است الکترون ها نیز با زوایای مختلف به سد فرود می آیند نتایج نشان میدهند که می توانیم عبور ذرات از سد دوگانه گرافینی را به کمک بایاس خارجی کنترل کنیم زمانی که الکترون ها با زاویه صفر به سد گرافینی برخورد می کنند بیشترین عبور حاصل می شود و این مسئله هماهنگ با پارادوکس کلاین میباشد در زوایای دیگر به طور کلی احتمال عبور کمتر از یک به دست می آید و برحسب اختلاف پتانسیلی که بین دو سد اعمال شده است از یک ماکزیمم تا یک مینیمم تغییرات شبه نوسانی نشان میدهد که این نوسانات ریشه در مکانیک کوانتمی داشته و به کمک آن می توان عبورذرات ا زاین ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را تحت کنترل درآورد.
Keywords:
Authors
شیوا شهرآیینی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
ادریس فیض آبادی
دانشگاه علم و صنعت ایران
فرشید رئیسی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :