شبیه سازی ترانزیستورهای HFET یک کاناله و دو کاناله براساس InGaP/InGaAs/GaAs با اعمال اثرات کوانتومی
Publish place: 10th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,878
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE10_007
تاریخ نمایه سازی: 7 آذر 1390
Abstract:
دراین مقاله ترانزیستور اثر میدان یک کاناله و دوکاناله با استفاده از پیوند ناهمگن HEET براساس InGaP/InGaAs/GaAs شبیه سازی شده است هدف از این بررسی تونل زدن بین دو کانال و اثر آن برمشخصه ترانزیستور بوده است در شبیه سازی این ترانزیستور ها لازم است اثر غیرمحلی پتانسیل بر الکترون درن ظر گرفته شود دراین مقاله اثر غیرمحلی پتانسیل بصورت یک تصحیح کوانتومی در معادلات درنظر گرفته شده است نتایج شبیه سازی همخوانی خوبی با نتایج آزمایش دارد برای ساختار یک کاناله هم شبیه سازی انجام گرفته و نتایج آن با حالت دو کاناله مقایسه شده است که نشان دهنده بهبود مشخصه های ساختار دوکاناله نسبت به یک کاناله است.
Keywords:
ترانزیستور اثر میدان با استفاده از پیوند ناهمگون heet , ترانزیستورهای اثر میدان با کانال آلایش شده DCFET) , شبیه سازی
Authors
رحیم فائز
دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی شریف تهران
احسان عطایی پور
دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
عقیل باجلان
دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :