ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی: بررسی مزایا، چالش ها و کاربردها
Publish place: Fourth National Conference on New Technologies in Electrical, Computer and Mechanical Engineering of Iran
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,136
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
STCONF04_225
تاریخ نمایه سازی: 26 مهر 1400
Abstract:
امروزه با توجه به نیاز روز افزون افزایشی به تراشه هایی با ابعاد کوچکتر استفاده از ترانزیستورها در ابعاد میکرو و نانو در صنعت الکترونیک تبدیل به امری ضروری شده است. همچنین در دهه گذشته، تاکید طراحان مدارات مجتمع، حرکت به سمت فناوری نانو به جهت مصرف توان کم و پردازش سریعتر بوده است. به همین جهت محققین به دنبال جایگزینی برای ترانزیستورهای معمولی هستند تا بتوانند طبق نظریه مور در یک تراشه، چندین میلیارد ترانزیستور در ابعاد نانو قرار دهند ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی CNTFET، به خاطر تشابه ساختاری با ترانزیستورهای مبتنی با سیلیکون، افزایش سرعت سوئیچینگ، توان مصرفی کمتر و بازده بالاتر جایگزین مناسبی برای نسل پیشین ترانزیستورها می باشد. در این مقاله نخست به معرفی نانولوله کربن CNT و مزیت های آن و اینکه چرا در ساختار ترانزیستور از آن استفاده می شود و سپس به بررسی و تحلیل CNTFET و نحوه عملکرد انواع مختلف آن خواهیم پرداخت
Keywords:
Authors
غزاله علیزاده
دانشجوی کارشناسی، دانشکده برق و کامپیوتر، موسسه آموزش عالی آل طه، تهران
شاهین قربانی زاده شیرازی
استادیار، دانشکده برق و کامپیوتر، موسسه آموزش عالی آل طه، تهران