طراحی تقویت کننده هدایت انتقالی توان پایین، ولتاژ پایین خودبایاس شونده با ترانزیستورهای فین فت
Publish place: Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers، Vol: 18، Issue: 4
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 483
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-18-4_005
تاریخ نمایه سازی: 27 مهر 1400
Abstract:
در این مقاله،یک تقویت کننده هدایت انتقالی ولتاژ پایین برای کاربردهای توان پایین با استفاده ازترانزیستورهای گیت مجزا فین فت طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این مدار برای ایجاد ورودی با دامنه تا ولتاژ تغذیه از روش زوج شبه تفاضلی در طبقه ورودی و روش خودبایاس شونده استفاده شده است. از سوی دیگر با استفاده از فین فت گیت مجزا به جای سی ماس می توان پاسخ فرکانسی و بهره را بهبود بخشید بدون آنکه توان اضافی مصرف شود. در مدل فین فت استفاده شده به دلیل دارا بودن دو گیت مجزا، می توان از یک گیت برای بایاس ترانزیستور و از گیت دیگر برای اعمال ورودی استفاده نمود. این مدار برای جبران سازی فرکانسی از سیستم DFC بهره برده است تا میزان خازن های جبران سازی کوچک شوند. برای طراحی مدار تقویت کننده هدایت انتقالی از مدل فین فت ۲۰nm براساس مدل PTM استفاده شده است. در نهایت نتایج شبیه سازی با HSPICE مقدار بهره ۳۹.۲۷ dB، حاشیه فاز ۴۵.۰۵o و فرکانس بهره واحد ۸.۲۶ MHz به ازای خازن بار ۳ pF با توان تلفاتی نهایی ۳۷.۷۵ µW می باشد. مقدار ولتاژ DC خروجی نیز در ولتاژ تغذیه VDD=۰.۵ V برابر ۰.۲۶۹ V قرارداده شده است.
Keywords:
Low power , Low voltage , OTA , Independent gate FinFET. , توان پایین , ولتاژ پایین , تقویت کننده هدایت انتقالی , فین فت گیت مجزا.
Authors
علیرضا حسن زاده
Shahid Beheshti University
مهدی شیرازی
Shahid Beheshti University
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :