مدار مرجع ولتاژ با توان مصرفی کم مورد استفاده در تگ های غیرفعال RFID

در جهت افزایش بازه کد خوانی و کنترل از فاصله دورتر، می بایست بلوک های موجود بر روی تراشه تگ RFID مصرف توان کمی داشته باشند. در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ با ولتاژ تغذیه ۱V به عنوان یکی از بلوک های مهم در تگ RFID برای کاربردهای پلیس هوشمند ارائه شده است. در ساختار مرجع ولتاژ پیشنهادی ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه زیرآستانه هدایت شده اند. برای تولید ولتاژ معکوس با دمای مطلق (CTAT)، از ولتاژ یک اتصال pn (PN junction) که توسط یک ترانزیستور PMOS ایجاد شده و بخشی از مدار بایاس می باشد، استفاده شده است. جهت دستیابی به ولتاژ مرجع خروجی در حدود ۷۵۳mV، دو طبقه ولتاژ متناسب با دمای مطلق(PTAT) تفاضلی به ولتاژ CTAT اضافه شده و یک ولتاژ مرجع با حداقل وابستگی به دما را ایجاد می کنند. مرجع ولتاژ پیشنهادی در فرآیند ۰.۱۸ میکرومتر CMOSشبیه سازی و مساحت جانمایی آن ۰.۰۰۶۴ میلی متر مربع محاسبه شده است. نتایج شبیه سازی پساجانمایی نشان می دهد که در بازه دمایی ۰ تا ۱۱۰ درجه سانتیگراد ضریب دمایی (TC)، ℃/۱۹.۷ ppm حاصل می شود. تنظیم خط (LR) در محدوده ولتاژ تغذیه ۰.۸V تا ۱.۲V برابر با ۰.۰۵۸ درصد بر ولت است. همچنین جریان مصرفی مرجع ولتاژ ۱۳.۲nA بدست آمده است.

Keywords:

ولتاژ مرجع , توان مصرفی , ناحیه زیرآستانه , ضریب دمایی , شناسایی امواج رادیویی