بدست آوردن ساختار باند (MoSe(۲ با استفاده از معادله ترابرد بولتزمن

مولبیدن دی سلنید (MoSe(۲ عضوی جذاب از خانواده دی کلکوژنیدهای فلزات انتقالی (TMDCs) است که اخیرا توجه قابل توجهی را برای کاربردهای مختلف در سیستم های الکتروشیمیایی ، فتوکاتالیستی و الکتروالکترونیکی به دست آورده است. اینبه دلیل برخی از مزایای ارزشمند نسبت به فلز مشابه سلنیدهای گذرا و حتی (MoS(۲ است که به طور گسترده استفاده می شود. ساختار لایه ای (MoSe(۲ به علاوه اندازه و رسانایی الکتریکی Se، فرصت خوبی را برای میزبانی از سیستم های ذخیرهانرژی الکتروشیمیایی مانند باتری های یون لیتیوم و یون سدیم فراهم می کند. به عنوان یک ساختار کلی از TMDC ها، MoSe۲ دارای یک ساختار شبکه ای دو بعدی است و لایه های جداگانه توسط فعل و انفعالات واندروالس روی هم قرار می گیرند. این واقعا شبیه به معماری معروف گرافیت است و بنابراین ، این دسته از مواد می توانند بطور قابل ملاحظه ای ازکاربردهای گرافن یا گرافیت تقلید کنند. از آن طرف در یک اتم تنها، الکترون ها در سطوح انرژی مجزا و کوانتیده قرار دارند.این سطوح انرژی یا اوربیتال ها از انرژی پایین تر شروع به پر شدن می کنند. وقتی اتم ها در کنار یکدیگر قرار می گیرند،حالت های مجاز انرژی به حالت های نزدیک به هم تقسیم می شوند و شکل اوربیتال ها تغییر می کند.

Keywords:

ساختار باند , مولبیدن دی سلنید , معادله ترابرد بولتزمن