مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند با مواد کانال همگون و ناهمگون(InGaP ,InP, InGa/ InP)
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 204
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EESCONF07_011
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1401
Abstract:
جریان حالت خاموش، چالش اساسی ترانزیستورهای بدون پیوند است. با انتخاب ماده کانال به صورت ساختار ناهمگون، شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا میتوان جریان حالت خاموش را کاهش داد به نحوی که جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا نکند. از این جهت در این تحقیق ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد ناهمگونInP/InGaP در مقابل ترانزیستورهای با کانال همگونInP و InGaP معرفی شده و برای شبیه سازی ترانزیستورها از معادلات تابع گرین غیر تعادلی استفاده شده است. نتایج نشان میدهد، ترانزیستور بدون پیوند با ساختار کانال ناهمگون InP/InGaP دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش است. برای ترانزیستور بدون پیوند با کانال ناهمگون مقادیر جریان حالت خاموش، شیب زیر آستانه، دیبل، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش محاسبه و با کانال همگون مقایسه شده و مقادیر این مشخصات در طول گیت ۱۰ نانومتر به ترتیب برابر است با ۱/۷۳×۱۰-۱۴ A، ۶۰/۲ mV/dec، ۷/۷mV/V، ۹/۱۷×۱۰-۶ A و ۳/۳۸×۱۰۸.
Keywords:
ترانزیستورهای بدون پیوند ناهمگون , جریان حالت خاموش , دیبل , شیب زیر آستانه , نسبت جریان روشن به خاموش
Authors
فرشاد باجلان
استاد یاردانشکده فنی- دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر- ایران