شبیه سازی عددی و تحلیل جذب در سلولهای خورشیدی لایه نازک سیلیکون کریستالی و آمورف

سیلیکون کریستالی و سیلیکون آمورف به دلیل ویژگیهای منحصربه فردشان به موادی پرکاربرد در ساخت سلولهای خورشیدی نسل دوم (لایه نازک) تبدیل شده اند. لذا، در این مقاله، عملکرد جذبی این مواد و سلولهای خورشیدی مبتنی بر آنها در ناحیه طیف نور مرئی توسط روشهای عددی المان محدود (FEM) و تفاضل محدود حوزه زمان (FDTD) شبیه سازی و تحلیل شده است. در سلولهای خورشیدی تحلیل شده، از یک لایه ایندیوم قلع اکسید (ITO) به عنوان لایه اکسید هادی شفاف (TCO) بر روی لایه جاذب سیلیکونی و از یک لایه نقره به عنوان بازتابنده نور استفاده شده است. میزان جذب لایه های جاذب در این سلولهای خورشیدی با استفاده از فرمولاسیون تمام-موج جذب نور محاسبه شده و با جذب کلی سلولها مقایسه شده اند. همچنین، نشان داده شده است که در تمامی شبیه سازی های ارائه شده مبتنی بر دو روش عددی مذکور، توافق بسیار خوبی وجود دارد که این به معنی دقت و صحت نتایج شبیه سازیها است.

Keywords:

سلول خورشیدی لایه نازک , سیلیکون کریستالی , سیلیکون آمورف , شبیه سازی عددی.