طراحی یک سلول تمام جمع کننده تک بیتی کم توان با قابلیت اطمینان بالا با استفاده ازترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانو لوله کربنی
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 206
This Paper With 20 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEL02_064
تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1401
Abstract:
در این مقاله، تعدادی سلول تمام جمع کننده تک بیتی با استفاده از ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی ارائه شدهاست. در ابتدا، چند مدار XOR/XNOR دو ورودی پیشنهاد شده است و سپس از آنها برای تشکیل تمام جمع کننده تکبیتی استفاده می شود. شبیه سازی ها با توجه به مقیاس بندی توان منبع و شرایط بار متفاوت، و همجنین کاهش توان و تاخ ی ربرتری ها را نشان داده است. سلول های پیشنهادی در مقایسه با سلول های گزارش شده در سال های اخیر از نظر توان، تاخیر ،و حاصل ضرب توان تاخیر PDP و حاصل ضرب انرژی تاخیر EDP عملکرد قابل قبولی را ارائه داده است. علاوه بر این،حساسیت تمام جمع کننده در برابر نویز ورودی و تغییرات فرآیند (تغییر در طول، عرض و قطر نانولوله های کربنی) موردمطالعه قرار گرفته است. از نظر نویز، سلول های ارائه شده در این مقاله، در برابر دامنه بالای نویز ورودی، مقاوم و دارای قابلیتاطمینان بالایی هستند. شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE با تکنولوژی ۳۲ نانومتر انجام شده است
Keywords:
Authors
فرزاد مولودی
کارشناسی ارشد ، نویسنده مستقل
امید اسلامی پور
کارشناسی ارشد ، دانشگاه کردستان، دپارتمان مهندسی الکترونیک و مخابرات