طراحی یک سلول تمام جمع کننده تک بیتی کم توان با قابلیت اطمینان بالا با استفاده ازترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانو لوله کربنی

در این مقاله، تعدادی سلول تمام جمع کننده تک بیتی با استفاده از ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی ارائه شدهاست. در ابتدا، چند مدار XOR/XNOR دو ورودی پیشنهاد شده است و سپس از آنها برای تشکیل تمام جمع کننده تکبیتی استفاده می شود. شبیه سازی ها با توجه به مقیاس بندی توان منبع و شرایط بار متفاوت، و همجنین کاهش توان و تاخ ی ربرتری ها را نشان داده است. سلول های پیشنهادی در مقایسه با سلول های گزارش شده در سال های اخیر از نظر توان، تاخیر ،و حاصل ضرب توان تاخیر PDP و حاصل ضرب انرژی تاخیر EDP عملکرد قابل قبولی را ارائه داده است. علاوه بر این،حساسیت تمام جمع کننده در برابر نویز ورودی و تغییرات فرآیند (تغییر در طول، عرض و قطر نانولوله های کربنی) موردمطالعه قرار گرفته است. از نظر نویز، سلول های ارائه شده در این مقاله، در برابر دامنه بالای نویز ورودی، مقاوم و دارای قابلیتاطمینان بالایی هستند. شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE با تکنولوژی ۳۲ نانومتر انجام شده است

Keywords:

ترانزیستورهای اثر میدان , نانولوله کربنی , تمام جمع کننده , توان , تاخیر