A 3-ppm/°C Bandgap Voltage Reference Using MOSFETs in Strong Inversion Region
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,019
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_067
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
An accurate bandgap voltage reference (BVR) which utilizes the thermal behavior of the threshold voltage and electron mobility of NMOS transistors is presented in thispaper. The circuit is based on a well-known addition of a proportional to absolute temperature (PTAT) and complementary to absolute temperature (CTAT) references. ThePTAT circuit uses the temperature coefficient (TC) of the electron mobility and the CTAT circuit uses the TC of thethreshold voltage to generate accurate PTAT and CTAT currents. The circuit is designed in a 0.18μm CMOS technology.Simulation results show a temperature coefficient (TC) of 3ppm and power supply rejection ratio (PSRR) of 77dB at DC frequency.
Keywords:
Authors
Ehsan Shami
Electrical & Computer Faculty of K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran
Hossein Shamsi
Electrical & Computer Faculty of K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :