بررسی ویژگی های الکتروشیمیایی نوری لایه نازک تیتانیوم دی اکسید آلاییده با کربن

در این پژوهش لایه نازک تیتانیوم دی اکسید به روش رسوب گذاری از فاز مایع بر زیرلایه شیشه رسانای شفافببا پوشش قلع اکسید آلایش یافته با فلوئور (FTO) رشد داده شد. فرایند رسو بگذاری در دمای ۶۰˚C در بازه های زمانی ۱۵۰ تا ۲۵۰ دقیقه انجام شد. لایه های به دست آمده در شعله شمع به مدت ۹۰ تا ۳۳۰ ثانیه عملیاتحرارتی شدند. در حین عملیات حرارتی در شعله شمع یک لایه دوده روی فیلم تشکیل میشود. کربن دوده دراثر دمای شعله شمع که حدود ۱۰۰۰°C است به داخل لایه نفوذ می کند و آن را با کربن آلاییده می کند. در اثر آلایش کربن، ویژگی کاتالیست نوری تیتانیوم دی اکسید در ناحیه نور مریی فعال می شود.. نمونه ی لایه نشانیشده در ۲۰۰ دقیقه و آلاییده در زمان ۲۱۰ ثانیه به عنوان نمونه بهینه تعیین شد و جریان نوری آن در ۱/۲۳ولت در مقابل الکترود برگشت پذیر هیدروژن حدود (۹۴μA/cm(۲ اندازه گیری شد.

Keywords:

لایه نازک , تیتانیوم دی اکسید , آلاییده با کربن , رسوب گذاری از فاز مایع , ویژگی الکتروشیمیایی نوری