طراحی تحلیل و شبیه سازی یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی دوگانه بهبود یافته در نرم افزار TCAD SilVaco
Publish place: International Conference on New Researches and Technologies in Electrical Engineering (ICNRTEE)
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 292
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNRTEE01_019
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1402
Abstract:
در این مقاله به ارائه و بررسی مقایسه ای یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی دوگانه (DMOSFET) پرداخته شده است که با استفاده از نرم افزار TCAD Silvaco طراحی و شبیه سازی شده است. این ترانزیستور به ازای سناریوهای گوناگون دفیوژن مورد بررسی قرار گرفته است ترازیستور ارائه شده دارای عرض کانال ۲۰ میکرومتری است و ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن آن به ترتیب ۷۱۹ ولت و ۳۸۳میلی اهم بر سانتیمتر مربع میباشد. هم چنین نرخ روشن /خاموش آن حدود ۴۹۳.۲۵ است بنابراین با توجه به مشخصه های بسیار مناسب افزاره طراحی شده از این ترازیستور در بسیاری از مدارت الکترونیکی و تجهیزات توان میتوان بهره برد
Keywords:
Authors
حسین محمدی
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
سجاد ایمانی
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
مزدک رادملکشاهی
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
مهدی منصوری
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر