بررسی اثر لایه میدان سطح پشتی بر بازده سلول خورشیدی دو پیوندی مبتنی بر InGaP/GaAs

در دنیای کنونی که اقتصاد جهانی کاما وابسته به انرژی می باشد، به منظور ادامه روند رشد اقتصاد برای جمعیت رو به رشد کره زمین انرژی بیشتری مورد نیاز می باشد؛ انتظار می رود تقاضای انرژی در سال ۲۰۳۰ تقریبا بیش از ۴۰ % نسبت به سال ۲۰۰۵ افزایش داشته باشد. یکی از مهم ترین چالش های پیش رو در سال های اخیر، تامین انرژی و یافتن منابع جدید انرژی است. امروزه استفاده از انرژی خورشیدی به عنوان یک انرژی پاک در جهان مورد توجه قرار گرفته است. انرژی خورشید به صورت مجانی در اختیار بشر نهاده شده است. با توجه به اینکه گستره وسیعی از مساحت ایران در معرض تابش مستقیم نور خورشید قرار دارد، استفاده از این انرژی در مناطقی که امکان اتصال به شبکه برق سراسری را ندارند و یا از نظر اقتصادی استفاده از آن مقرون به صرفه نیست، می تواند یک راهکار اقتصادی مناسب پیشنهاد شود. تبدیل نور خورشید به انرژی الکتریکی با استفاده از سلول های خورشیدی جایگزینی تجدید پذیر به جای تولید برق متداول از نسل سوخت های فسیلی است. دلیل اینکه سلول های خورشیدی به صورت انبوه مورد استفاده قرار نگرفته در واقعیت این است که بازده آن ها بسیار پایین است و همچنین بعلت هزینه های گزاف ساخت مقرون به صرفه نمی باشد. به این ترتیب پژوهش های بسیاری برای بهبود تمام قسمت های سلول خورشیدی در جهت افزایش بازده، کاهش قیمت و ارائه فناوری های نوین ارائه گردیده است. -۲ اهداف هدف ما در این تحقیق شبیه سازی سلول خورشیدی دو پیوندی مبتنی بر

Keywords:

بازدهی , لایه میدان سطح پشتی , شکاف باند , سیواکو