افزایش راندمان سلول خورشیدی فراپیوند با استفاده از مواد GaInP/GaAS
Publish place: The 7th International Conference on Science and Technology of Electrical, Computer and Mechanical Engineering of Iran
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 169
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
UTCONF07_119
تاریخ نمایه سازی: 20 اردیبهشت 1402
Abstract:
در این مقاله ساختار یک سلول خورشیدی مبتنی بر مواد GaInP/GaAs را با نرم افزار Silvaco/Atlas مورد مطالعه و شبیه سازی قرار داده ایم و به منظور بهبود عملکرد سلول، از سلول تک پیوندی AlInGaP به جای امیتری که از جنس GaAs است ،استفاده کرده ایم که گاف انرژی بزرگتری نسبت به GaAs دارد.جنس لایه بیس را همان GaAs در نظر گرفته و آن را به دو لایه با ضخامت یکسان تقسیم کرده ایم . برای ایجاد یک میدان اضافه ، چگالی ناخالصی AlInGaP، دو مقدار متفاوت در نظر گرفته میشود که سبب ایجاد یک میدان اضافه میشود.سپس اثر تغییر چگالی ناخالصی لایه های جدید را بر روی جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز، ضریب پر شدگی و بازده تبدیل نشان داده ایم و با بدست آوردن چگالی ناخالصی بهینه برای هر یک از لایه های سلول خورشیدی، ساختاری بهینه بدست آورده ایم . برای ساختار بهینه ی سلول خورشیدی پس از شبیه سازی تحت تابش ۰AM ، ۲mA/cm ۷۷.۱۱ISC= و v ۱۱.۳VOC= و ۵۱.۹۱FF= بدست آمدند که نشان دهنده ی بازدهی تبدیل %۵۲.۳۳ میباشد که نسبت به ساختار اولیه %۰۶.۹ افزایش داشته است .ترکیب نتایج باعث بدست آمدن یک مشخصه مناسب از سلول خورشیدی GaInP/GaAsمیشود.
Keywords:
Authors
شیرین احدی
گروه مهندسی برق، دانشگاه فنی و حرفه ای، لرستان، ایران