طراحی تقویت کننده کم نویز باتکنیک افزایش یافته و بایاس بدنه برایکاربرد در شبکه های حسگر بی سیم “WSN”

در این مقاله، تقویت کننده های کم نویز باند باریک با نویز کم و بهره بالا برای کاربرد شبکه حسگر بی سیم ۲,۴ (WSN) گیگاهرتز با استفاده از فناوری CMOS ۰.۱۸-um ارائه شده است. در تقویت کننده پیشنهادی، ترکیبی از تکنیک افزایش یافته( ) و تکنیک بایاس بدنه (forward body bias) استفاده می شود. تکنیک بایاس بدنه با ماسفت به صورت دیودی Diode-connected برای به حداقل رساندن نشت بدنه و بهبود عملکرد نویز استفاده می شود. با انتخاب مناسب المان های مدار در این ساختار، توانسته ایم مصالحه مناسبی بین پارامترهای مدار شامل رقم نویز، بهره، توان مصرفی و پایداری ایجاد کنیم که منجر به رقم نویز، ضریب انعکاس ورودی و مصرف توان کم و بهره بالا شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که LNA پیشنهادی به S۲۱ بالای ۱۷.۸ و S۱۱ کمتر از -۱۷.۲dB در فرکانس ۲,۴ گیگاهرتز می رسد. همچنین ، یک NF مسطح ۱.۲ دسی بل در آن محدوده فرکانس به دست می آید. علاوه بر این، IIP۳ +۲ dBm است، توان مصرفی در ولتاژ منبع تغذیه ۱,۸ ولت ۴,۱ میلی وات است.

Keywords:

تقویت کننده , آنتن , شبکه حسگر , برق , سیگنال