افزایش بازده سلول خورشیدی GaAs مبتنی بر ساختار p-i-n باند میانی توسط نقاط کوانتومی InAs در ناحیه ذاتی آن
Publish place: Tabriz Journal of Electrical Engineering، Vol: 49، Issue: 3
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 98
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-49-3_018
تاریخ نمایه سازی: 27 تیر 1402
Abstract:
امروزه سلول خورشیدی باند میانی نقطه کوانتومی به عنوان یکی از مناسب ترین گزینه ها برای دست یابی به حداکثر بازده در سلول های خورشیدی می باشد. در این مقاله دو مدل سلول خورشیدی طراحی شده که مدل اول دارای ساختار p-i-n با بستر GaAs بوده و مدل دوم شامل نقاط کوانتومی InAs کاشته شده در ناحیه ذاتی آن می باشند. با بهبود ساختار و استفاده از مواد مناسب در سلول مرجع p-i-n بازده تا حد ۳۴.۰۳% افزایش یافته است. سپس، در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی، ازطریق کنترل اندازه نقاط کوانتومی و موقعیت قرارگیری آن ها در این سلول خورشیدی GaAs باند میانی نقطه کوانتومی، بهبود بازده تبدیل انرژی به مقدار ۱۲.۵۵% به دست آمده و بازده تبدیل انرژی تا مقدار ۵۵.۵۸% ارتقاء یافت. در حقیقت، با این سلول خورشیدی باند میانی مبتنی بر نقاط کوانتومی بازده تبدیل انرژی بالایی ارائه می شود که تاکنون گزارش نشده است.
Keywords:
Authors
کریم عباسیان
دانشکده مهندسی فناوری های نوین - دانشگاه تبریز
سیدسالار حسینی
دانشکده مهندسی برق - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران(آذربایجان شرقی) - تبریز
هادی صوفی
دانشکده مهندسی فناوری های نوین - دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :