فن آوری ساخت گیرنده نوری استوانه ای

Publish Year: 1382
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 49

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJCM-11-1_004

تاریخ نمایه سازی: 20 مرداد 1402

Abstract:

در این مقاله پس از حل معادله لاپلاس تبدیل فوریه پتانسیل الکتریکی در شرایط مرزی مناسب، تبدیل فوریه میدان الکتریکی در یک مدل سه لایه ای با ضخامتtj  و نفوذ پذیری الکتریکیerj   ( ۳ و ۲ و ۱  j =)، مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد، و نوعی گیرنده نوری طراحی می شود. سپس لایه رسانای Al، رسانای نوری Se با ضخامت m۲۰، و لایه میانی Al۲O۳  با ضخامت  m ۱۰ روی زیرلایه استوانه ای، از جنس آلیاژ آلومینیوم که بر آن نوعی پلیمر روکش داده شده بود، انباشته شد. لایه نشانی Al و تشکیل لایه Al۲O۳  در فشار ۷-۱۰×۵ تا ۵-۱۰×۲ میلی بار، و لایه نشانی Se در فشار ۷-۱۰×۲ میلی بار، در دمای زیرلایه °C ۹۵ و در۱۲۰ دقیقه انجام شد. پس از اندازه گیری های الکتروستاتیکی، با نصب گیرنده نوری جدید در دستگاه زیراکس، تصویربرداری با آن با موفقیت صورت گرفت.

Authors

جلیل بدراقی

دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده علوم پایه

اقدس بنائی

دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده علوم پایه

محمدحسین مجلس آرا

دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده علوم پایه

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • بدراقی جلیل، بنائی اقدس، گزارش داخلی ۱۱ ۲۲۶ (۱۳۸۰) ...
  • Kasahara et. al, US. Pat. ۵, ۰۷۵, ۱۸۸ Dec (۱۹۹۱) ...
  • Mort J., Chen I., Physics of Xerographic photoreceptors, Academic Press ...
  • Ojima F., et.al, US. Pat. ۴, ۹۹۹, ۲۶۸, ۱۲ Mar ...
  • Kitagawa S., et.al, US. Pat. ۴, ۹۹۰, ۴۱۹, ۵ Feb ...
  • Fender et.al, US. Pat., ۵, ۳۲۰, ۹۲۷, ۱۴ Jun (۱۹۹۴) ...
  • Kamio M., Physics of amorphous semiconductors, Imperial college Press (۱۹۹۹) ...
  • Kazuyuk, US. Pat., ۵۰۸۵, ۹۵۹, ۴ Feb (۱۹۹۲) ...
  • بدراقی جلیل، بنائی اقدس، گزارش داخلی ۱۱ ۲۲۶ (۱۳۸۰) ...
  • Kasahara et. al, US. Pat. ۵, ۰۷۵, ۱۸۸ Dec (۱۹۹۱) ...
  • Mort J., Chen I., Physics of Xerographic photoreceptors, Academic Press ...
  • Ojima F., et.al, US. Pat. ۴, ۹۹۹, ۲۶۸, ۱۲ Mar ...
  • Kitagawa S., et.al, US. Pat. ۴, ۹۹۰, ۴۱۹, ۵ Feb ...
  • Fender et.al, US. Pat., ۵, ۳۲۰, ۹۲۷, ۱۴ Jun (۱۹۹۴) ...
  • Kamio M., Physics of amorphous semiconductors, Imperial college Press (۱۹۹۹) ...
  • Kazuyuk, US. Pat., ۵۰۸۵, ۹۵۹, ۴ Feb (۱۹۹۲). ...
  • نمایش کامل مراجع