رشد تک بلور نیمرسانای Te۰۴/۰Zn۹۶/۰Cd به دو روش بریجمن تغییریافته و ترابری فاز بخار
Publish Year: 1383
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 61
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJCM-12-2_009
تاریخ نمایه سازی: 20 مرداد 1402
Abstract:
تکبلورهای Te۰۴/۰Zn۹۶/۰Cd (CZT) با قطر تا mm ۱۴ به روش بریجمن تغییریافته و بدون استفاده از هسته اولیه، رشد داده شدند. بلورهایی با همان ترکیب شیمیایی به روش انتقال فاز بخار بهوسیله گاز بیاثر (VPGT) نیز رشد داده شد که تکبلورهایی به بزرگی تا mm ۵/۳ به دست آمد. مطالعات ساختاری انجام شده با پراش پرتو X و تصاویر پسبازتاب لاوه نشان میدهند که بلورهای رشد یافته تکفازند و ترجیحا به موازات محور بلور ]۱۱۱[ رشد میکنند. گاف انرژی بلورهای رشد داده شده در حدود eV ۲/۱ است. خواص الکتریکی اندازه گیری شده به روش وندرپو نشان میدهند که مرتبه بزرگی مقاومت ویژه تکبلورهای حاصل W.cm۱۰۴ است. رسانندگی الکتریکی بلورهای رشد داده شده به روش بریجمن نوع p، و بلورهای رشد داده شده به روش VPGT نوع n است.
Keywords:
Authors
شکوفه طباطبائی یزدی
پردیس دانشگاه فردوسی
محمدرضا علی نژاد
پردیس دانشگاه فردوسی
ناصر تجبر
پردیس دانشگاه فردوسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :