بررسی مدهای نقص در بلور فوتونی سه لایه ای یک بعدی متقارن
Publish place: Optoelectronic، Vol: 3، Issue: 2
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 68
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-3-2_012
تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402
Abstract:
در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای ۱ بعدی (۱-DTPC ) با هندسه متقارن را بررسی می کنیم. حالت های نقص برای قطبش میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی با تغییر طول موج بررسی می شوند. در این حالت، دو قله تشدید در نوار گاف فوتونی (PBG ) وجود دارد که مربوط به حالت نقص است. در قطبش میدان الکتریکی عرضی، با افزایش زوایای فرودی، حالت های نقص به سمت طول موج کوتاه تر و در قطبش میدان مغناطیسی عرضی به سمت طول موج بزرگ تر منتقل می شوند. ارتفاع مدهای نقص به زوایای فرودی ارتباطی ندارد. با افزایش تعداد سلول های واحد، پهنای حالت های نقص کاهش می یابد و این افزایش در موقعیت مکانی حالت نقص تاثیری ندارد. علاوه بر این، با افزایش ضریب شکست لایه نقص، حالت های نقص به سمت مرکز نوار گاف برای قطبش های میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی منتقل می شوند. مد نقص با طول موج کوتاهتر سریعتر از مد نقص با طول موج بزرگتر جابجا می شود. همچنین با افزایش ضخامت لایه نقص، مدهای نقص به سمت طول موج بزرگتر جا به جا می شود.
Keywords:
Authors
مرضیه دادخواه
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور
تورج غفاری
واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :