مروری بر ترانزیستورهای دو گیتی دو ماده ای

در سال های اخیر تلاش روی کوچک سازی ترانزیستورها اهمیت ویژه ای یافته است. مهم ترین دلایل اهمیت کوچک سازیترانزیستورها کاهش هزینه ها، کاهش توان مصرفی، افزایش سرعت و کم حجم و سبک شدن قطعه های الکترونیکی است. با وجوداین مزایا، در کوچک سازی تدریجی ترانزیستورهای مرسوم محدودیت های فیزیکی آشکار می شود و اثرات ناخواسته ای از جمله تغییرولتاژ آستانه، افزایش جریان نشتی، کاهش سد پتانسیل با القای درین، کاهش شیب زیر آستانه، کاهش سرعت کلید زنی و محدودیتروی ویژگی های رانش الکترون در رفتار ترانزیستورها مشاهده می شود که بعضی از این آثار تحت عنوان اثرات کانال کوتاه بیان میشوند. درواقع به دلیل این اثرات کوتاه کانال، کوچک سازی ترانزیستورها با چالش مواجه شده است. بر ای رفع این مشکل، می توان ازترانزیستورهای ماسفت دو گیتی استفاده نمود . در ا ین تحقیق مروری بر ترانزیستو ر های دو گیتی دو ماده ای صورت پذیرفت. مدلهای موجود برای ای ن ترانز یستو ر مورد بررسی قرار گرفته و تابع پتان سیل سطحی برای این ترانزیستو ر مورد بررسی قرار گرفت. نتایجنشان دا د که برای ترانزیستورهای دو گیتی، تا کنون مدل های مختلفی که بر مبنای پتانسیل سطحی آنالیتیک و بار جریان درین میباشند منتشر شده است اما توسعه ی مدل جریان درین آنالیتیک مناسب برای این ترانزیستورها هنوز در مرحله ی تحقیق قرار دارد.

Keywords:

ترانزیستور , ماسفت دو گیتی , دوماده ای , پتانسیل سطحی