مدل سازی نویز فرکانس پایین با استفاده از EMD منطبق بر نتایج تجربی

Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 102

This Paper With 17 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_ISEE-14-3_008

تاریخ نمایه سازی: 27 آذر 1402

Abstract:

مدلسازی و تخمین نویز فرکانس پایین یک مسئله مهم در طراحی مدارهای آنالوگ، دیجیتال و به خصوص در طراحی تراشه های CMOS با طول کانال کوتاه است. مدل هایی که تاکنون برای نویز ارائه شدند، انطباق مناسبی با نتایج تجربی در فرکانس های بسیار نزدیک به DC برای تقویت کننده ها و در فرکانس های بسیار نزدیک به فرکانس حامل برای نوسانسازها ندارند. همچنین، اندازه گیری این نویز نیاز به استفاده از تجهیزات خاص و بسیار گران قیمت دارد؛ از این رو، در این مقاله، ضمن بررسی مشخصات نویز فرکانس پایین به کمک روش EMD، کران های به تله افتادن و رهاشدن حامل ها براساس احتمالات مربوطه نیز استخراج شده اند و یک مدل پیشنهادی بر مبنای نتایج حاصله و مبتنی بر تغییر تعداد حامل ها ارائه می شود. در ادامه سیستم اندازه گیری کم هزینه برای فرکانس های پایین معرفی می شود. سپس، صحت عملکرد این سیستم اندازه گیری و مدل پیشنهادی، ارزیابی و با روش های رایج مدلسازی نویز مقایسه می شود. نتایج ارزیابی نشان دهنده موفقیت روش اندازه گیری پیشنهادی در اندازه گیری و قابلیت مدل پیشنهادی در تخمین نویز بسیار نزدیک به فرکانس DC است.

Authors

زینب شماعی

دانشجوی دکترا، گروه مهندسی برق، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه اصفهان، اصفهان، ایران

محسن میوه چی

دانشیار، گروه مهندسی برق، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه اصفهان، اصفهان، ایران

ایرج کاظمی

دانشیار، گروه آمار، دانشکده ریاضی و آمار، دانشگاه اصفهان، اصفهان، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • F. L. Traversa, M. Bonnin, and F. Bonani, “The Complex ...
  • M. Nouri, M. Mivehchy, and M. F. Sabahi, “Novel Anti-Deception ...
  • Z. Shamaee and M. Mivehchy, “A Bi-LSTM radar signal classification ...
  • T. Bai et al., “Fifty Years of Noise Modeling and ...
  • Z. Shamaee and M. Mivehchy, “Dominant noise-aided EMD (DEMD): Extending ...
  • C. Ciofi and B. Neri, “Low-frequency noise measurements as a ...
  • A. A. Balandin, “Low-frequency ۱/f noise in graphene devices,” Nat. ...
  • B. M. Wilamowski and J. D. Irwin, Noise in Semiconductor ...
  • Y. Hu, T. Siriburanon, and R. B. Staszewski, “Oscillator Flicker ...
  • E. Simoen and C. Claeys, “On the flicker noise in ...
  • F. N. Hooge, “۱/f noise sources,” IEEE Trans. Electron Devices, ...
  • A. McWhorter, “۱/f noise and related surface effects in germanium,” ...
  • D. B. Leeson, “A simple model of feedback oscillator noise ...
  • “Phase Noise Measurement Solutions Selection Guide,” ۲۰۱۸. https://www.keysight.com/nl/en/assets/۷۰۱۸-۰۲۵۲۸/technical-overviews/۵۹۹۰-۵۷۲۹.pdf[۱۵] A. Demir, ...
  • A. K. Poddar, U. L. Rohde, and A. M. Apte, ...
  • A. G. Mahmutoglu and A. Demir, “Modeling and simulation of ...
  • C. Marquez, C. Navarro, S. Navarro, J. L. Padilla, F. ...
  • W. Shin et al., “Effects of High-Pressure Annealing on the ...
  • A. J. Scholten, L. F. Tiemeijer, R. Van Langevelde, R. ...
  • Z. Wu and N. E. Huang, “A study of the ...
  • X. Niu, L. Lu, J. Wang, X. Han, X. Li, ...
  • J. C. Costa, D. Ngo, R. Jackson, N. Camilleri, and ...
  • Y. Zhou and S. Priya, “Magnetoelectric current sensor,” in Composite ...
  • CA۳۱۴۰ BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output, Data Sheet. ...
  • LT۱۰۲۸/LT۱۱۲۸ Ultra Low Noise Precision High Speed Op Amps, Data ...
  • OP۰۷ Operational Amplifier, Data Sheet. ۲۰۰۲ ...
  • LF۳۵۱ Single Op Amp JFET, Data Sheet. ۲۰۰۱ ...
  • M. J. Kirton and M. J. Uren, “Noise in solid-state ...
  • نمایش کامل مراجع