تجزیه و تحلیل المان محدود پلاسمای گاز آرگون تولید شده به روش پلاسمای جفت شده القایی با توان ورودی، موقعیت سیم پیچ و ضخامت دی الکتریک متغیر

پلاسمای جفت شده القایی چکیده (ICP) به طور گسترده در کاربردهایی مانند پردازش مواد و ساخت ادوات میکروالکترونیک استفاده می شود. با این حال، خواص الکترومغناطیسی آنها به طور کامل بررسی نشده است. بنابراین، ما شبیه سازی های المان محدود (۲ بعدی)، وابسته به زمان را در این پژوهش انجام دادیم. نمودارهای میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما را برای گاز آرگون با اعمال توان متغیر ۷۵۰ وات، ۹۵۰ وات، ۱۱۰۰ وات و ۱۲۰۰وات انجام داده ایم. در یک مطالعه مقایسه ای، اثر تغییر توان ورودی بر پارامترهای پلاسما بررسی شد و نتایج مربوطه نشان داده شد. نشان داده شد که با افزایش توان، چگالی الکترون و دما در محفظه کار افزایش می یابد. در ادامه، با توان ثابت ۱۲۰۰ وات به عنوان یک توان بهینه شده، تاثیر جابجایی موقعیت سیم پیچها و کاهش ضخامت لایه دی الکتریک بر شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون و دما بررسی شد و نشان دادیم که با تغییر مکان سیم پیچها، شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون و دمای راکتور تغییری نمی کند.اما با کاهش ضخامت لایه دی الکتریک شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما به مقدار ناچیزی کاهش می یابد.

Keywords:

واکنش شیمیایی , دمای بالا , پلاسمای جفت شده القایی , روش اجزای محدود , دمای الکترون