اثر تهی جای اتمهای P به صورت غیر نقطه ای و غیر فعال کردن ساختار فسفرین با اتم های H روی خواص الکترونیکی و مغناطیسی آن
Publish place: Optoelectronic، Vol: 6، Issue: 1
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 98
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-6-1_003
تاریخ نمایه سازی: 29 آذر 1402
Abstract:
در این مطالعه، خواص الکترونیکی و مغناطیسی فسفرین تک لایه به کمک نظریه تابعی چگالی اسپینی مورد بررسی قرار گرفت. فسفرین تک لایه یک نیمه رسانای ذاتی نوع p است که خاصیت مغناطیسی ندارد. فسفرین کاربردهای بسیاری در ادوات الکترونیکی مانند ترانزیستورها و یا باطری های یونی دارد. اما فسفرین اولیه به دلیل نداشتن خاصیت مغناطیسی، دارای کاربردهای محدود در ادوات اسپینترونیکی است. با اعمال نقص غیرنقطه ای تهی جای اتمها به صورت ۶ تایی، نمونه خاصیت مغناطیسی پیدا می کند و این مساله مرتفع می گردد. برای این منظور، ما از یک سلول بزرگ ۶۴ اتمی استفاده می کنیم. بعلاوه با اعمال نقص، گاف انرژی ساختار از ۱.۵۰eV به ۰.۳۳eV کاهش پیدا می کند و ساختار به نیمه رسانای نوع n تبدیل می گردد. با غیر فعال کردن پیوندهای آزاد نمونه دارای نقص با اتمهای H، گاف انرژی افزایش می یابد و به مقدار ۱.۷۳eV می رسد. نوع نیمه رسانای این نمونه، به نوع p بازمی گردد. با مهندسی ساختار می توان نمونه با گاف انرژی و خاصیت مغناطیسی دلخواه را طراحی و در آزمایشگاه جهت کاربرد مورد نظر ساخت.
Keywords:
Authors
فهیمه بهزادی
استادیار فیزیک ، دانشگاه فسا، فسا، ایران (عضو هیات علمی)
سید محمد قاضی
استاد یار فیزیک دانشگاه فسا (عضو هیات علمی)