نانو تکنولوژی دریکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان دوگانه با توان مصرفی پایین مورد استفاده در مدارت آشکارساز
Publish place: 1st National Conference on NanoScience and Nanotechnology
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,152
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AHVAZNANO01_023
تاریخ نمایه سازی: 19 اسفند 1391
Abstract:
این مقاله یک یکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان خروجی دوگانه با استفاده از تکنولوژی ساختcmos 180 نانومتر ارائه می دهد که باولتاژ پایین 1± کار می کند. در مدارات آشکارساز نیاز به توان مصرفی پایین و ایعاد تراشه کوچک مورد نیاز می باشد. استفاده از تکنولوژی نانو ما رابه این امر مهم می رساند. همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع کار می کنند. این مدار سیگنال سینوسی ورودی را دریافت می کند و سیگنال نیم موج خروجی را در فرکانس بالا و مد جریان یکسو می کند. ساختار اصلی این مدار متشکل از مدار معکوسکنندهcmos دو منبع جریان آیینهای میباشد. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزارHSPICEمورد تائید است. مدار پیشنهادی دارای پهنای باند50MHZمی باشد جریان ورودی درحدود100μAتوان مصرفی 21 پیکووات محاسبه شده است.
Keywords:
Authors
اصغر شاهسوندی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران، گروه برق
حاتم محمدی کامروا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران، گروه برق
الهه فتوحی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران، گروه برق
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :