بیان میکروسکوپی از چگالی نیروی الکترومغناطیسی در محیطهای دی الکتریک مغناطیسی در مقیاس نانو
Publish place: 1st National Conference on NanoScience and Nanotechnology
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,061
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AHVAZNANO01_027
تاریخ نمایه سازی: 19 اسفند 1391
Abstract:
چگالی نیروی ماکروسکوپی روی محیط دی الکتریک مغناطیسی همسانگرد خطی در مقیاس نانو توسط میدان الکترومغناطیسی دلخواه و یک میانگین گیری فضایی ازچگالی نیروی لورنتسی میکروسکوپی محاسبه می شود.محاسبات بدست آمده در این مقاله ، با محاسبات عمومی و رایج که تاکنون بدست آمده متفاوت است.اما تانسور انرژی – تکانه با تانسور معروف هلمهولتز ،برای محیطهای که از قانون کلاسیوس-ماسوتی پیروی می کند هم خوانی دارد ، بنابراین بیان میکروسکوپی مقاله ، به وضوح صحت تانسور هلمهولتز را برای محیط در مقیاس نانو اثبات می کند. همچنین ، بیانی از چگالی تکانه میدان در این تئوری ، با بیان چگالی تکانه توسط آبرهام ، مینوفسکی ، لاب و اینشتین متفاوت است و تئوری آبراهم و مینوفسکی بر خلاف تئوری مقاله با مشاهدات تجربی همخوانی ندارد ، بخاطر همین تاکید به تئوری بدست آمده داریم.
Keywords:
Authors
سمیرا احمدی
دانشکده فیزیک ، دانشگاه اصفهان ، اصفهان ، ایران
فردین خیراندیش
دانشکده فیزیک ، دانشگاه اصفهان ، اصفهان ، ایران