اثر افزودنی های اکسیدی بر تشکیل بدنه تک فاز Si۲N۲O به وسیله فرایند تف جوشی پلاسمای جرقه ای

سیلیکون اکسی نیترید، تنها فاز میانی موجود در سیستم SiO۲-Si۳N۴ است. این ترکیب به علت خواص منحصر به فرد فیزیکی و مکانیکی بسیار مورد توجه قرار گرفته است Si۲N۲O دارای خواص ذاتی مناسب همچون گاف انرژی بزرگ، ثابت دی الکتریک مناسب و تانژانت اتلاف کم است. این ویژگی ها نشان می دهد که این ترکیب می تواند در پنجره های عبور دهندهامواج الکترومغناطیس استفاده شود. تاکنون تحقیقات زیادی برای سنتز این ماده انجام شده است ولی به علت دمای تفجوشی بالا و ضریب نفوذ پایین، ساخت نمونه توده ای چگال، از این ترکیب همواره مورد چالش بوده است. در این پژوهش، سنتز ترکیب مورد نظر با استفاده از فرایند تفجوشی پلاسمای جرقه ای پودرهای فراوری شده SiO۲,Si۳N۲ روش سل ژل با نسبت مولی برابر به همراه افزودنی های MgO,Y۲O۳ مورد بررسی قرار گرفت. نتایج آزمون پراش سنجی پرتو ایکس نشان می دهد، فاز Si۲N۲O در نمونه های تف جوشی شده دارایMgO w%۲، به مدت ۴۰ دقیقه در دمای ۱۷۵۰ درجه سانتی گراد، به صورت کامل تشکیل شد. آزمون دانسیته سنجی به روش ارشمیدس و نتایج آزمون میکروسکوپی الکترونینشان داد، نمونه ذکر شده، دارای دانسیته نزدیک به دانسیته تئوری است

Keywords:

سیلیکون اکسی نیترید , سل- ژل , تفجوشی پلاسمایی جرقه ای