اثر دمای بستر بر لایه های نازک اکسید مولیبدن تهیه شده به روش افشانه گرمایی در دیود
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 74
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJCM-31-4_014
تاریخ نمایه سازی: 16 بهمن 1402
Abstract:
در این پژوهش، دیودها با لایه نشانی لایه نازک اکسید مولیبدن بر بستر سیلیکون آلایش شده نوع p با هدف بررسی اثر دمای بستر بر ویژگی دیود ساخته شدند. به این منظور، لایه های نازک اکسید مولیبدن در بسترهای با دمای ۳۵۰، ۴۰۰، ۴۵۰ و oC ۵۰۰ به روش افشانه گرمایی لایهنشانی شدند. ویژگیهای ساختاری و نوری لایههای نازک بررسی گردید. آنها ماهیتی بسبلوری با ساختار راستگوشی و قلههای پراشی مربوط به صفحههای (۰۲۰)، (۰۴۰) و (۰۶۰) را نشان میدهند که قله ارجح در همه نمونهها (۰۴۰) است. ریختار سطح نمونهها بدون ترک و دارای دانهبندی مستطیل شکل با اندازه دانههای در گستره ۱۱۰ تا ۲۱۰ نانومتر است. همچنین زبری متوسط سطح آنها در گستره ۱۵۷ تا ۱۶۷ نانومتر اندازهگیری شد. گاف نوری نمونهها در گستره ۸۴/۲ تا eV ۹۵/۲ برآورد شد. نمودار ولتاژ – جریان نمونهها رفتار دیودی آنها را نشان داد. دیود ساخته شده در دمای بستر oC۴۰۰ دارای کمترین ولتاژ آستانه است.
Keywords:
Authors
مجتبی عطایی
School of Physics, Damghan University, Damghan, Iran.
محمد رضا فدوی اسلام
School of Physics, Damghan University, Damghan, Iran.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :