Energy band correction due to one dimension tension in phosphorene
Publish place: Journal of Optoelectronical Nanostructures، Vol: 2، Issue: 1
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 49
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JOPN-2-1_007
تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1402
Abstract:
Among graphene-like family, phosphorene is a typical semiconducting layered material, which can also be a superconductor in low temperature. Applying pressure or tension on phosphorene lattice results in changing the hopping terms, which change the energy bands of the material. In this research we use the tight-binding Hamiltonian, including relevant hopping terms, to calculate energy bands of normal and under tension phosphorene. Our results show that the energy gap decreases by decreasing / from ۳ to ۲, and finally the gap disappears.
Keywords:
Authors
Ali Izadparast
Department of Physics, Isfahan University of Technology. Isfahan, Iran
Peyman Sahebsara
Department of Physics, Isfahan University of Technology. Isfahan, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :