تاثیر مهندسی ماده کاتد بر مشخصه های الکتریکی افزاره نوین ترانزیستور گسیل میدانی خلاء نانومتری
Publish place: The first international conference and the seventh national conference on electrical engineering and intelligent systems
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 75
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEC07_082
تاریخ نمایه سازی: 3 اردیبهشت 1403
Abstract:
دراین مقاله، تاثیر مهندسی ماده کاتد بعنوان یک پارامتر مهم ساختاری و فیزیکی در طراحی بهینه ترانزیستور گسیل میدانی خلاء نانومتری ارائه و بررسی می شود. نتایج محاسبات نشان می دهند، با به کارگیری مواد مختلف و کاهش تابع کار کاتد ازeV ۵/۶۵ (پلاتین) تا eV ۴/۲۸ (آلومینیم)، جریان آند افزایش چشمگیر در حدود ۱۴۴% یافته است درحالیکه ولتاژ آستانه افزاره به بیش از نصف کاهش می یابد. فرکانس کاری افزاره با کاهش تابع کار کاتد، حدودا ۱/۶۳ تراهرتز بدست آمده که بیانگر عملکرد چشمگیر افزاره در کاربردهای فرکانس بالا است. مشخصه های الکتریکی دیگر نظیر Ion/Ioff، VTH و gm هم محاسبه و تغییر آنها با مهندسی ماده کاتد بررسی شده است. این بررسی می تواند زمینه ساز ظهور نسل جدیدی از ترانزیستورهای سریع با توان پایین برای کاربردهای دیجیتال باشد.
Keywords:
Authors
فاطمه کهنی خشکبیجاری
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت، رشت، ایران
محمدجواد شریفی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
رضا فولادی
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت، رشت، ایران
سیدحسین علوی راد
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد لنگرود، لنگرود، ایران