سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا

Publish Year: 1383
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,771

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

PSC19_009

Index date: 3 December 2006

تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا abstract

پوشش عایق سطح جانبی در وریستورهای اکسید روی به صورت ترموست، لعاب یا پوششهای سرامیکی قابل اعمال می باشند . در پوششهای سربی مرسوم که بر روی قرص زینتر شده اعمال می گردند، با وجود دمای زینتر پایین، دو سیکل حرارتی مجزا مورد نیاز است . از طرف دیگر بخاطر سمی بودن ترکیبات سربی و مشکلات فریت سازی ، همواره حذف سرب از اجزاء پوشش مورد نظر بوده است . مزیت ردة جدید پوششهای مورد استفاده، یعنی پوشش های دما بالا، در اعمال دوغاب بر روی نمونة خام و پخت همزمان پوشش و بدنه در همان درجه حرارت زینتر بدنة ZnO می باشد که صرفه اقتصادی و زمانی را به دنبال خواهد داشت . در این مقاله، تهیه و اعمال پوششهای بر پایه SiO2 و Fe2O3 ارائه شده و همچنین تاثیر افزودن Bi2O3 ، B2O3 و Al2O3 بر خواص فیزیکی و الکتریکی پوشش قرصهای بهینه سازی شده، مورد بررسی قرار گرفته است . نتایج نشان میدهد که تمامی پوشش های تهیه شده ازواکنش پذیری خوبی با سطح بدنه برخوردارمی باشند . تصاویرحاصل از SEM پوشش ها وبدنه بهینه سازی شده نیز نتایج خوبی از نظر واکنش پذیری پوشش و بدنه و وجود تخلخل در نمونه ها ارائه می دهد .

تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا Keywords:

تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا authors

محبوب بلندی

دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف، پژوهشگاه نیرو ایران

زیارتعلی نعمتی

دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف

محمدرضا مهندس

پژوهشگاه نیرو ایران

مجید مرکزی

پژوهشگاه نیرو ایران

مقاله فارسی "تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا" توسط محبوب بلندی، دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف، پژوهشگاه نیرو ایران؛ زیارتعلی نعمتی، دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف؛ محمدرضا مهندس، پژوهشگاه نیرو ایران؛ مجید مرکزی، پژوهشگاه نیرو ایران نوشته شده و در سال 1383 پس از تایید کمیته علمی نوزدهمین کنفرانس بین المللی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله وریستور اکسید روی، پوشش عایق دما بالا، اعمال پوشش ، ترکیبات بدون سرب، پخت همزمان هستند. این مقاله در تاریخ 12 آذر 1385 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1771 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که پوشش عایق سطح جانبی در وریستورهای اکسید روی به صورت ترموست، لعاب یا پوششهای سرامیکی قابل اعمال می باشند . در پوششهای سربی مرسوم که بر روی قرص زینتر شده اعمال می گردند، با وجود دمای زینتر پایین، دو سیکل حرارتی مجزا مورد نیاز است . از طرف دیگر بخاطر سمی بودن ترکیبات سربی و مشکلات فریت سازی ، همواره ... . برای دانلود فایل کامل مقاله تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا با 8 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.