نانوکامپوزیت مغناطیسی Fe₃O₄@SiO₂ پوشش دهی شده با اسید اتیلن دی تتراستیک: یک جاذب موثر و قابل بازیافت برای حذف یون های مس از سیستم آبی
Publish place: Applied Chemistry Today، Vol: 17، Issue: 65
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 38
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_CHEM-17-65_004
تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1403
Abstract:
یک نانوکامپوزیت Fe₃O₄@SiO₂ پوشش دهی شده با اسید اتیلن دی آمتتراستیک (EDTA) که دارای ساختار پوسته هسته است، توسعه یافت و هدف آن حذف یون های مس از محیط های آبی بود. ویژگیهای گروههای عملکردی سطح، ساختار بلوری، مغناطیس و مورفولوژی سطح نانوذرات مغناطیسی با طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه (FT-IR) ، پراش اشعه ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی انتشار میدان (FE-SEM) ، پراکندگی نور پویا (DLS) و مغناطیس سنجی نمونه ارتعاشی (VSM). مطالعات سینتیک جذب جاذب جدید در حذف یون های مس از فاضلاب نشان داد که حداکثر میزان جذب مس در دمای ۲۵ درجه سانتی گراد ۹۵ درصد بود. دفع و قابلیت استفاده مجدد Fe₃O₄@SiO₂-EDTA نیز برای حذف یونهای مس بر اساس چرخه های جذب پی در پی مورد بررسی قرار گرفت. در نهایت، تمام نتایج مورد مطالعه نشان داد که نانوکامپوزیت های Fe₃O₄@SiO₂-EDTA یک جاذب کارآمد و قابل استفاده مجدد برای حذف یون های مس از محلول های آبی هستند.
Keywords:
نانوکامپوزیت Fe۳O۴@SiO۲ , اصلاح سطح , اتیلن دی آمین تتراستیک اسید , یون مس , راندمان حذف , سینتیک جذب
Authors
محسن اسماعیل پور
گروه شیمی و فرآیند، پژوهشگاه نیرو، تهران، ایران
افسانه سادات لاریمی
گروه شیمی و فرآیند، پژوهشگاه نیرو، تهران، ایران
مجید قهرمان افشار
گروه شیمی و فرآیند، پژوهشگاه نیرو، تهران، ایران
مرتضی فقیهی
گروه شیمی و فرآیند، پژوهشگاه نیرو، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
