N+ Pocket Core-Shell Nanotube Tunnel Field-Effect Transistor
Publish place: Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering، Vol: 1، Issue: 4
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 30
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_MSEEE-1-4_004
تاریخ نمایه سازی: 2 مهر 1403
Abstract:
One of the attractive candidates for improving the performance of tunnel transistors is cylindrical structures due to their impressive electrostatic control of the gate. But the on-state current of tunnel transistors is still very low compared to MOSFETs. An alternative is to use core-shell nanotubes rather than nanowires. In this article, we present a core-shell TFET nanotube based on a heterogeneous germanium/silicon structure. In our proposed structure, an N+ pocket is employed to enhance the on-state current. A possible manufacturing method is also proposed that is fully compatible with CMOS technology. The main parameters of this transistor are ۹۷.۸۵ μA / μm on-state current, Ion / Ioff ratio of ۸.۲۶×۱۰۸, SSavg mV/dec ۲۱.۱۵, and fT of ۸۷۸.۹۵ GHz.
Keywords:
Authors
Amirsam Abad
Electrical engineering department of Amirkabir university, Tehran ۱۵۹۱۶۳۴۳۱۱, Iran
Iman Chahardah Cherik
Department of Electrical and Computer Engineering,Semnan University, Semnan ۳۵۱۳۱۱۹۱۱۱, Iran
Saeed Mohammadi
Department of Electrical and Computer Engineering,Semnan University, Semnan ۳۵۱۳۱۱۹۱۱۱, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :