فناوری نوین گیت با ولتاژ ثابت برای کاهش جریان نشتی درین القاء شده از گیت در افزاره MOSFET دو گیتی در ابعاد نانو
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,263
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE05_066
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
Abstract:
جریان نشتی درین القا شده ازگیت (GIDL) درترانزیستورهای اثرمیدانی دوگیتی
(DG -MOSFET) یکی ازمولفه های اصلی جریان نشتی محسوب می شود. جریان GIDL نقش مهمی را درزمان نگهداری اطلاعات درسلولهای DRAM بازی می کند و به عنوان یکی ازعوامل محدود کننده مقیاس پذیری افزاره های DG -MOSFET مطرح می شود. دراین مقاله برای اولین بار استفاده ازدو گیت درطول کانال برای کاهش جریان GIDL و به دنبال آن جریان حالت خاموش، درافزاره DG -MOSFET درابعادنانو پیشنهاد شده است. با بکارگیری گیت با ولتاژ ثابت میتوان خمیدگی نوارهای انرژی را درمحل وقوع GIDL کاهش داد درنتیجه نرخ تولید تونل زنی نواربه نوار (BTBT) کاهش یافته و جریان GIDL کم می شود. استفاده ازتکنیک گیت باولتاژ ثابت جریان حالت خاموش افزاره را 105 برابر کاهش می دهد و باعث افزایش قابل توجه در Ion/Ioff می شود.
Keywords:
تونل زنی نواربه نوارBTBT , جریان نشتی درین القا شده ازگیت GIDL , حافظه های بادسترسی تصادفی پویا DRAM
Authors
مهدی وادی زاده
دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر
سونیا صادقی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :