بررسی خواص حسگر نوری سیستم CdO/Psi/Si
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,245
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_035
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
Abstract:
سیستم CdO/Psi/Si به کمک اندایز کردن الکتروشیمیایی پایه سیلیکن کریستالی نوع P+ و لایه نشانی لایه اکسید کادمیم به روش لیزر پالسی، ساخته شد. سپس نمونه ها در هوا و در دمای 500 درجه سانتی گراد پخت شدند. طیف عبور اپتیکی نمونه ها نشان داد که با انجام عملیات پخت بر میزان عبور اپتیکی لایه اکسیید کادمیم به میزان قابل توجهی افزوده میگردد.نتایج آزمایش XRD نشان داد که ساختار لایه CdO پلی کریستالی با اندازه مرز دانه های حدود 250nm است. بررسی منحنی I-V نمونه های CdO/PSi/Si نشان داد که با تابش نور، جریان گذرنده از نمونه در بایاس معکوس افزایش قابل توجهی را نشان می دهد. همچنین خواص حسگری نمونه ها مانند سرعت پاسخ و حساسیت مورد اندازه گیری قرار گرفت. نتایج نشان داد که این سیستم می تواند به عنوان حسگر نوری با حساسیت و سرعت پاسخ خوب مورد استفاده قرار گیرد.
Authors
عباس آذریان
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
اعظم ایرجی زاد
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
سیدمحمد مهدوی
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
نجمه السادات تقوی
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف