شبیه سازی مونت کارلو از خواص ترابرد الکتریکی GaN تحت تاثیر میدان الکتریکی شدید
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,336
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_157
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
Abstract:
در این مقاله خواص ترابرد الکترون در ساختار وورتسایت GaN در محدوده دمایی 300-600 K با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو مطالعه شده است . در این پژوهش میدان الکتریکی در دو GaN ( بصورت غیر سهموی و بیضوی فرض شده اند . در محاسبة ترابرد الکترون در ساختار وورتسایت Γ, U,K ( سه درة مهم نوار هدایت و عمود بر آن بررسی شده است . تحقیقات انجام شده نشان می دهد که با افزایش دما به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی، ماکزیمم سرعت سوق در C جهت موازی محور . بررسی شده است GaN میدانهای بالاتر، کاهش می یابد . همچنین در این مقاله بستگی تحرک پذیری الکترونها به دما و چگالی اتمهای ناخالصی در ساختار وورتسایت تحقیقات انجام شده نشان می دهد که تحرک پذیری الکترونها در دماهای بالاتر به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی به شدت کاهش یافته و در دماهای پایین کاهش تحرک پذیری ناشی از اثر غالب تحرک پذیری از مراکز ناخالصی است . نتایج محاسبات با اندازه گیریهای انجام گرفته و دیگر دادهای منتشر شده در سایر مقالات مقایسه شده است و در توافقخوبی با آنها است
Authors
آزاده سادات نعیمی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
میترا بقال نژاد
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
هادی عربشاهی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار