اثر میدان مغناطیسی بر پذیرفتاری الکتریکی در شیشه ها در دمای پایین
Publish place: 8th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,600
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_008
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
Abstract:
آزمایشهای انجام گرفته اخیر بر روی شیشه ها در دمای پایین در حضور میدان مغناطیسی نشان از تغییرات دور از انتظاری در توابع پاسخ شیشه ها نسبت به تغییر میدان مغناطیسی داشته است . در این مقاله به بررسی اثر میدان مغناطیسی بر پذیرفتاری الکتریکی در شیشهها در دمای پایین پرداختهایم . اثر میدان مغناطیسی با اعمال ممان چهارقطبی هسته مورد مطالعه قرار گرفته است . نتایج بهدست آمده نشان از تغییر پذیرفتاری الکتریکی به صورت B 2 در میدان مغناطیسی کوچک و1/ B برای میدان مغناطیسی بزرگ دارد .
Authors
علیرضا اکبری
مرکز تحصیلات تکمیلی در علوم پایه زنجان ، زنجان، ایران
درو بودا
دانشکده فیزیک، دانشگاه بابز بولیای، رومانی
عبدالله لنگری
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران