تعیین چگالی بارهای زمینه در ساختارهای AlGaAs/GaAs با استفاده از محاسبات نظری پراکندگی کولنی گاز الکترونی دوبعدی

در این مقاله با مقایسه نتایج تجربی و محاسبات نظری تحرک پذیری گاز الکترونی دوبعدی در ساختارهای دورآلاییده AlGaAs/GaAs ، چگالی بارهای زمینه تعیین شده اند . در رشد رونشانی ساختارهای نامتجانس وقوع ناکاملی، تهی جا و یا جانشینی ناخالصی ها امری اجتناب ناپذیر است و این عیوب عامل ظهور بارهای زمینه (BC) و باعث پراکندگی حاملهای آزاد و کاهش تحرک پذیری آنها می شود . بعلاوه پراکندگی از ناخالصی های یونیده دور (RI) در لایه آلاییده بعد از لایه جداگر نیز مزید بر علت است . محاسبات نشان می دهد که در این سا ختارها با افزایش ضخامت لایه جداگر l s ، پراکندگی کولنی گاز الکترونی از ناخالصی های یونیده دور (RI) کاهش، ولی پراکندگی از بارهای زمینه (BC) افزایش می یابد . بعلاوه با کاهش چگالی بارهای زمینه تحرک پذیری افزایش می یابد . از مقایسه نتایج تجربی و محاسبات نظری تغییرات µ بر حسب ls ، در می یابیم که چگالی بارهای زمینه در ساختار تحت مطالعه در حد 5×10 به توان 14 ±e/cm 3 می با شد