CMOS در ضرب کننده های جریان ، CCII
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 829
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AEBSCONF01_124
تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393
Abstract:
در این مقاله یک مدار ضرب کننده CMOS مد جریان چهار ربعی با استفاده از نسل دوم حامل جریان به صورت الکترونیکی (Electronically CCII) پیشنهاد شده است. استفاده از حامل اختلاف جریان دیفرانسیلی (DDCC) بر مبنای تقویت کننده های لگاریتمی- آنتی لگاریتمی پایه و اساس این طراحی می باشد. از مزایای مدار پیشنهادی، پایداری حرارتی بسیار خوب، ساختار ساده و استفاده از تکنولوژی CMOS نسبت به مدارات مشابه در این زمینه می باشد. شبیه سازی با کمک نرم افزار PSPISE با استفاده از پارامترهای Cmos با تکنولوژی 0.5 um نیز کارکرد ساختار پیشنهادی را تایید می کند.
Keywords:
Authors
میلاد عسکری
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
احمد رضا رمضان پور
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران