طراحی و شبیه سازی اسیلاتور دوقطبی با مقاومت منفی در باند 1900 مگاهرتز
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,128
This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCECN01_043
تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1393
Abstract:
با استفاده از دو ترانزیستور BJT مدل HBFP0405 و FET GaAs مدلNE71300 و نرم افزار ADS دو مدار اسیلاتور با مقاومت منفی طراحی می کنیم. یکی از مهم ترین مراحل طراحی اسیلاتور نحوه بایاس کردن ترانزیستور است که تعیین کننده نقطه کار آن ترانزیستور می باشد. نقطه کار ترانزیستور در تعیین مقدار پارامترهای پراکندگی که خود عامل بسیار مهمی در طراحی اسیلاتورهاست تاثیر بسیاری دارد. نقطه کار ترانزیستور بستگی به نوع ترانزیستور و کاربرد آن دارد.پس از طراحی و شبیه سازی نشان می دهیم که ترانزیستور مدل FET ناپایدارتر است و دقت فرکانسی بهتری در ایجاد نوسان دارد. در مقابل ترانزیستور مدل BJT علاوه بر تکنولوژی ساخت ارزان قیمت تر دارای دامنه نوسان خروجی بیشتری نسبت به مدل FET است.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :